PL測試是一種無損的測試方法,可以快速、便捷地表征半導體材料的缺陷、雜質以及材料的發(fā)光性能。其主要功能包括:1)組分測定;對三元或四元系合金,如InGaN等,通過PL 峰位確定半導體材料的禁帶寬度,進而確定材料組分X;2)雜質識別;通過光譜中的特征譜線位置,可以識別材料中的雜質元素;3)雜質濃度測定;4)半導體材料的少數載流子壽命測量;5)位錯等缺陷的相關作用研究。
熒光激發(fā)和收集模塊 | 激發(fā)波長 | 213/266/375/405 nm |
自動對焦 | 在全掃描范圍自動聚焦和實時表面跟蹤。
對焦精度<0.2 um。
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顯微鏡 | 可見光物鏡,100 × / 50 × / 20 ×, 用于405 nm激發(fā)光。
近紫外物鏡,100 × / 20 ×,用于375 nm激發(fā)光。
紫外物鏡,5 ×,用于213 nm / 266 nm的紫外激發(fā)光。
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樣品移動和掃描平臺 | 平移臺 | 掃描范圍大于300 × 300 mm²。
*小分辨率1 m。
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樣品臺 | 8吋吸氣臺(12吋可定制)
可兼容2、4、6、8吋晶圓片
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光譜儀和探測器 | 光譜儀 | 焦長320 mm單色儀,可接面陣探測器。
光譜分辨率:優(yōu)于0.2 nm @ 1200 g/mm
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熒光壽命測試模塊 | 熒光壽命測試精度 8 ps,測試范圍50 ps ~ 1 ms | |
軟件 | 控制軟件 | 可選擇區(qū)域或指定點位自動進行逐點光譜采集 |
Mapping數據分析軟件 | 可對光譜峰位、峰高、半高寬等進行擬合。
可計算熒光壽命、薄膜厚度、翹曲度等。
將擬合結果以二維圖像方式顯示。
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