PL測(cè)試是一種無(wú)損的測(cè)試方法,可以快速、便捷地表征半導(dǎo)體材料的缺陷、雜質(zhì)以及材料的發(fā)光性能。其主要功能包括:1)組分測(cè)定;對(duì)三元或四元系合金,如InGaN等,通過(guò)PL 峰位確定半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,進(jìn)而確定材料組分X;2)雜質(zhì)識(shí)別;通過(guò)光譜中的特征譜線位置,可以識(shí)別材料中的雜質(zhì)元素;3)雜質(zhì)濃度測(cè)定;4)半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量;5)位錯(cuò)等缺陷的相關(guān)作用研究。
熒光激發(fā)和收集模塊 | 激發(fā)波長(zhǎng) | 213/266/375/405 nm |
自動(dòng)對(duì)焦 | 在全掃描范圍自動(dòng)聚焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤。
對(duì)焦精度<0.2 um。
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顯微鏡 | 可見(jiàn)光物鏡,100 × / 50 × / 20 ×, 用于405 nm激發(fā)光。
近紫外物鏡,100 × / 20 ×,用于375 nm激發(fā)光。
紫外物鏡,5 ×,用于213 nm / 266 nm的紫外激發(fā)光。
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樣品移動(dòng)和掃描平臺(tái) | 平移臺(tái) | 掃描范圍大于300 × 300 mm²。
*小分辨率1 m。
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樣品臺(tái) | 8吋吸氣臺(tái)(12吋可定制)
可兼容2、4、6、8吋晶圓片
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光譜儀和探測(cè)器 | 光譜儀 | 焦長(zhǎng)320 mm單色儀,可接面陣探測(cè)器。
光譜分辨率:優(yōu)于0.2 nm @ 1200 g/mm
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熒光壽命測(cè)試模塊 | 熒光壽命測(cè)試精度 8 ps,測(cè)試范圍50 ps ~ 1 ms | |
軟件 | 控制軟件 | 可選擇區(qū)域或指定點(diǎn)位自動(dòng)進(jìn)行逐點(diǎn)光譜采集 |
Mapping數(shù)據(jù)分析軟件 | 可對(duì)光譜峰位、峰高、半高寬等進(jìn)行擬合。
可計(jì)算熒光壽命、薄膜厚度、翹曲度等。
將擬合結(jié)果以二維圖像方式顯示。
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